COMPENSATION RATIO OF ACCEPTOR CENTERS IN DIFFERENT GROWTH SECTORS OF BORON-DOPED HPHT DIAMOND
نویسندگان
چکیده
Создание элементов силовой алмазной электроники, рассчитанных на высокий интегральный ток, требует использования активных подложек с низким электрическим сопротивлением и содержанием дефектов кристаллической решетки. Наиболее перспективным материалом для создания таких является легированный бором алмаз, выращенный методом температурного градиента при высоком давлении температуре. Неполная ионизация акцепторных центров в алмазе комнатной температуре приводит к тому, что степень компенсации данных оказывает значительное влияние концентрацию свободных носителей материале, а, следовательно, его проводимость. В данной работе исследовались температурные зависимости электропроводности эффекта Холла среднелегированного алмаза разных секторах роста кристалла. Показано, секторе {111} 2-3 порядка выше по сравнению секторами {001} {311}. связи этим электропроводность секторов {311} оказалась ~25 раз выше, чем {111}, том, общая концентрация бора примерно 10 выше. Таким образом, вероятность образования донорных более 100 ниже сектором {111}. Полученные результаты говорят о наиболее точки зрения электронных устройств являются пластины, вырезанные из {311}, условии достижения достаточно высокой концентрации сохранения низкой доноров.
منابع مشابه
Superconductivity in boron-doped diamond.
Superconductivity of boron-doped diamond, reported recently at T(c)=4 K, is investigated exploiting its electronic and vibrational analogies to MgB2. The deformation potential of the hole states arising from the C-C bond-stretch mode is 60% larger than the corresponding quantity in MgB2 that drives its high T(c), leading to very large electron-phonon matrix elements. The calculated coupling str...
متن کاملPorous boron-doped diamond/carbon nanotube electrodes.
Nanostructuring boron-doped diamond (BDD) films increases their sensitivity and performance when used as electrodes in electrochemical environments. We have developed a method to produce such nanostructured, porous electrodes by depositing BDD thin film onto a densely packed "forest" of vertically aligned multiwalled carbon nanotubes (CNTs). The CNTs had previously been exposed to a suspension ...
متن کاملRaman Microscopic Analysis of Internal Stress in Boron-Doped Diamond
Analysis of the induced stress on undoped and boron-doped diamond (BDD) thin films by confocal Raman microscopy is performed in this study to investigate its correlation with sample chemical composition and the substrate used during fabrication. Knowledge of this nature is very important to the issue of long-term stability of BDD coated neurosurgical electrodes that will be used in fast-scan cy...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Izvestiâ vysših u?ebnyh zavedenij
سال: 2023
ISSN: ['2072-3040']
DOI: https://doi.org/10.6060/ivkkt.20236610.7y